品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D1N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€153W
阈值电压:4V@210µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5410pF@25V
连续漏极电流:48.8A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NWFAFT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":78,"19+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST0D9N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:555W
阈值电压:3.5V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:531A
类型:N沟道
导通电阻:1.07mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:325W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@25V
连续漏极电流:375A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":27000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D1N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€153W
阈值电压:4V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5410pF@25V
连续漏极电流:48.8A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT1404L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€417W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:15A€220A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST0D9N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:555W
阈值电压:3.5V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:531A
类型:N沟道
导通电阻:1.07mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2900,"20+":619,"22+":1707,"23+":2291}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: