采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
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栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
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栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
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栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
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栅极电荷：16nC@4.5V
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输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
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输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
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输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
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输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
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栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：3.1W€120W
类型：N沟道
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
栅极电荷：16nC@4.5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：3.1W€120W
类型：N沟道
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
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栅极电荷：16nC@4.5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
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输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
