品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
输入电容:14500pF@25V
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
类型:P沟道
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:10500pF@20V
功率:125W
栅极电荷:204nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40020EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:107W
输入电容:8800pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:165nC@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD100N04-3M6_GE3
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ900E-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
连续漏极电流:100A
输入电容:5900pF@20V
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
输入电容:14500pF@25V
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
类型:P沟道
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:10500pF@20V
功率:125W
栅极电荷:204nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3
输入电容:14500pF@25V
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:107W
漏源电压:40V
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD100N04-3M6_GE3
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
输入电容:14500pF@25V
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
类型:P沟道
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N-Channel
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ900E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: