采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
功率：19.8W
输入电容：1780pF@20V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR66406
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€27W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@20V
连续漏极电流：22A€30A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1000，"13+"：7000，"15+"：17000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB45N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：453754，"24+"：121301}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S5L4R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR66406
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€27W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@20V
连续漏极电流：22A€30A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8305，"23+"：25027，"24+"：1585，"MI+"：18488}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1000，"13+"：7000，"15+"：17000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB45N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8305，"23+"：25027，"24+"：1585，"MI+"：17588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1000，"13+"：7000，"15+"：17000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB45N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
