采购热线 400-661-9010
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5158，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@20V
连续漏极电流：27A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4028，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@20V
连续漏极电流：27A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4028，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@20V
连续漏极电流：27A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：647}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：12000，"18+"：200，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S3H4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@65µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@20V
连续漏极电流：27A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
