采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5948DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：82mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4904DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4840
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4031SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：31mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC9430L-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：11.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7288DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4031SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：31mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4288DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@20V
连续漏极电流：9.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4904DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4288DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@20V
连续漏极电流：9.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4031SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：31mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4840
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4288DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@20V
连续漏极电流：9.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
