采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS120P04ZC
功率：40W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP206-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP206-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP206-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS120P04ZC
功率：40W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS120P04ZC
功率：40W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
