品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6G050ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.1nF@20V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@5.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8M22TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流:4.5A€2A
类型:N和P沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.06nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:18.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@5.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KB6TB1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:19.4mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.06nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:18.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.06nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:18.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KB7TB1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:27nC@10V
输入电容:1.57nF@20V
连续漏极电流:13.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:8.4mΩ@13.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8K22TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@10µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@20V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@5.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8M22TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流:4.5A€2A
类型:N和P沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: