品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M1000170J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:78W(Tc)
阈值电压:4V @ 500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13 nC @ 20 V
包装方式:散装
输入电容:200 pF @ 1000 V
连续漏极电流:5.3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 欧姆 @ 2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:5.7V@2.5mA
栅极电荷:11nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@1000V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@2A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0045170D
工作温度:+150℃
功率:520W
阈值电压:4V
栅极电荷:188NC@5/20V
连续漏极电流:72A
类型:N
导通电阻:45mΩ
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:5.7V@1.1mA
栅极电荷:5nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@1000V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1000mΩ@1A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M1000170J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:78W(Tc)
阈值电压:4V @ 500µA
栅极电荷:13 nC @ 20 V
包装方式:散装
输入电容:200 pF @ 1000 V
连续漏极电流:5.3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 欧姆 @ 2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA170B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:370W
阈值电压:3.25V@2.5mA
栅极电荷:178nC@20V
包装方式:散装
输入电容:3300pF@1000V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L028N170M1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@20V
包装方式:管件
输入电容:4230pF@800V
连续漏极电流:81A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@60A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT1000N170
工作温度:-55℃~200℃
功率:96W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:13.3nC@20V
包装方式:管件
输入电容:133pF@1000V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:200pF@1000V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5.7V@1.7mA
栅极电荷:8nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@1000V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.5A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NZGC11
工作温度:175℃
功率:35W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:管件
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5.7V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@1000V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.5A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17K
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA170B
工作温度:-60℃~175℃
功率:370W
阈值电压:3.25V@2.5mA
栅极电荷:178nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@1000V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA170B
工作温度:-60℃~175℃
功率:370W
阈值电压:3.25V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@1000V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0045170P
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:520W(Tc)
阈值电压:4V @ 18mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:3672 pF @ 1000 V
连续漏极电流:72A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:59 毫欧 @ 50A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5.7V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@1000V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.5A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:5.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:111pF@1000V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NZGC11
工作温度:175℃
功率:35W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:管件
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5.7V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@1000V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.5A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M1000170J-TR
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:78W(Tc)
阈值电压:4V @ 500µA
栅极电荷:13 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200 pF @ 1000 V
连续漏极电流:5.3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 欧姆 @ 2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: