品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:800mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:800mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:800mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPT2N32-6/TR
功率:1.1W
阈值电压:860mV@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPT2N32-6/TR
功率:1.1W
阈值电压:860mV@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56FS,LF
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1nC@4.5V
输入电容:55pF@10V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:800mA
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: