品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€1.09W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€1.09W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€1.09W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€1.09W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: