采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1029PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：95mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：51598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5904T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN70XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1029PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：95mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN70XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3411_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
