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    行业应用: 工业
    漏源电压: 20V
    连续漏极电流: 5A
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2312-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2312-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@4.3A,1.8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO207PHXUMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO207PHXUMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO207PHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@44µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订75000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订75000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO207PHXUMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO207PHXUMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO207PHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@44µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB43XPEAX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB43XPEAX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB43XPEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订21000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订21000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS5DNF20V 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STS5DNF20V 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS5DNF20V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:600mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订1500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订1500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7913DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:37mΩ@7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8JA1TCR 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8JA1TCR 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8JA1TCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XPE,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XPE,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB29XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":25707}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STT5N2VH5 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STT5N2VH5 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STT5N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:367pF@16V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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