品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB011M12FM3T
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@35mA
ECCN:EAR99
包装方式:盒
输入电容:10300pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:14mΩ@100A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB011M12FM3
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@35mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:10300pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:14mΩ@100A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB011M12FM3T
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@35mA
ECCN:EAR99
包装方式:盒
输入电容:10300pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:14mΩ@100A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB011M12FM3
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@35mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:10300pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:14mΩ@100A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
阈值电压:2.69V@15mA
输入电容:5873pF@800V
导通电阻:24mΩ@60A,15V
类型:N沟道
栅极电荷:219nC@15V
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
包装方式:管件
连续漏极电流:105A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
阈值电压:2.69V@15mA
输入电容:5873pF@800V
导通电阻:24mΩ@60A,15V
类型:N沟道
栅极电荷:219nC@15V
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
包装方式:管件
连续漏极电流:105A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB011M12FM3T
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@35mA
ECCN:EAR99
包装方式:盒
输入电容:10300pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:14mΩ@100A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB011M12FM3T
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@35mA
ECCN:EAR99
包装方式:盒
输入电容:10300pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:14mΩ@100A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: