品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0080120D
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:散装
输入电容:950pF@1000V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AS1M080120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@5mA
栅极电荷:79nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@1000V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0080120D
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:散装
输入电容:950pF@1000V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):C2M0080120D
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:散装
输入电容:950pF@1000V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AS1M080120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@5mA
栅极电荷:79nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@1000V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ANBON SEMI
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):AS1M080120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@5mA
栅极电荷:79nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@1000V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:CREE
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
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规格型号(MPN):C2M0080120D
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:98mΩ@20A,20V
输入电容:950pF@1000V
类型:N沟道
阈值电压:4V@5mA
漏源电压:1200V
连续漏极电流:36A
栅极电荷:62nC@5V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
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