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    品牌: GeneSiC
    行业应用: 工业
    漏源电压: 1200V
    当前匹配商品:100+
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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R12MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:567W

    阈值电压:2.7V@50mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:288nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:9335pF@800V

    连续漏极电流:157A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@100A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT12N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:365W

    阈值电压:2.69V@15mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:219nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:5873pF@800V

    连续漏极电流:105A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@60A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

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    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12J

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    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订50个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订50个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R12MT12K

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    类型:N沟道

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    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

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    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

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    栅极电荷:106nC@15V

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    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

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    功率:74W

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    输入电容:334pF@800V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:1200V

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    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

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    漏源电压:1200V

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

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    漏源电压:1200V

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    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

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    规格型号(MPN):G3R40MT12K

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    功率:333W

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    栅极电荷:106nC@15V

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    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

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    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

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    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

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    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

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    漏源电压:1200V

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

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    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

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    导通电阻:192mΩ@10A,15V

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订50个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订50个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

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    规格型号(MPN):G3R350MT12J

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    功率:75W

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    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

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    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订30个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订30个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R75MT12K

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    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

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    栅极电荷:12nC@15V

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    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

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    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订600个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订600个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

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    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12D 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12D 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R75MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:207W

    阈值电压:2.69V@7.5mA

    栅极电荷:54nC@15V

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    输入电容:1560pF@800V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

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    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    功率:365W

    阈值电压:2.69V@15mA

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    输入电容:5873pF@800V

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    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.69V@2mA

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订50个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订50个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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