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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A65DA(STA4，QM)
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.51Ω@1.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
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功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
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功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
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类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
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导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
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生产批次：{"17+"：10000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A65DA(STA4，QM)
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.51Ω@1.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
漏源电压：650V
功率：35W
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
连续漏极电流：11.1A
阈值电压：3.5V@450μA
包装清单：商品主体 * 1
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