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    行业应用: 工业
    漏源电压: 800V
    功率: 35W
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80 起订26个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80 起订26个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:02+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF2N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@750mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订317个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订317个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1600,"MI+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@750mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANX 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANX 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANX

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF23N80K5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF23N80K5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF23N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF13N80K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF13N80K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订40个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订40个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订25个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订25个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANX 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANX 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANX

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF11NM80 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11NM80

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@750mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订23个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订23个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF13N80K5 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF13N80K5 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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