品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB8N90CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG060N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€211W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@450V
连续漏极电流:5.8A€44A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@20A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
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漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB8N90CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG060N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€211W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@450V
连续漏极电流:5.8A€44A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@20A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG060N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€211W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@450V
连续漏极电流:5.8A€44A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@20A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":60}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: