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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP25DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€5W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327
功率：1.8W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07ZTA
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@460µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@460µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP25DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€5W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP26DP06NMSATMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3461_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07ZTA
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07ZTA
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP26DP06NMSATMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327
功率：1.8W
阈值电压：2V@460μA
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07ZTA
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@460µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327
功率：1.8W
阈值电压：2V@460μA
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3461_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@460µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@460µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
