采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2490}
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类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
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栅极电荷：37nC@10V
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导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2490}
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规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
类型：N沟道
连续漏极电流：11A€50A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
