采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：198309，"23+"：8000，"24+"：8000，"MI+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7428_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7428_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7428_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：198309，"23+"：8000，"24+"：8000，"MI+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML0030TRPBF-ES
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：21mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE3400-ES
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：19mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN8340DT1AG
功率：3.5W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE3400-ES
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：19mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：19mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：19mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
