品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3400
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:535pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:36pF@15V
导通电阻:27mΩ@10V,5.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR4407
功率:3W
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS020N03ZC
功率:78W
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS4407SC
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:14A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3400
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:535pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:36pF@15V
导通电阻:27mΩ@10V,5.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG100N03
功率:120W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.315nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@25V
导通电阻:4.2mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4410
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3400
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:535pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:36pF@15V
导通电阻:27mΩ@10V,5.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR4407
功率:3W
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4606
阈值电压:1.5V@250μA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7416TRPBF-ES
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:26.4nC
输入电容:1.23nF
连续漏极电流:10.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:145pF
导通电阻:13.5mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4805
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC
输入电容:2.06nF
连续漏极电流:9A
类型:2个P沟道
反向传输电容:300pF
导通电阻:15mΩ@9.0A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099L-7-ES
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:3.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:62mΩ@4.5V,3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3404
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9.8nC
输入电容:255pF
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:35pF
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN21307
功率:38W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC
输入电容:1.98nF
连续漏极电流:24A
类型:1个P沟道
反向传输电容:260pF
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD403
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:51nC
输入电容:2.89nF
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
反向传输电容:470pF
导通电阻:8mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APM4953
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9.2nC
输入电容:520pF
连续漏极电流:5.1A
类型:2个P沟道
反向传输电容:65pF
导通电阻:36mΩ@5.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: