品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G7P03S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.7W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:16mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03D2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:873pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3035
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3035L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Sanyo Denki
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4922NET1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69.44W€930mW
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76.5nC@10V
输入电容:5.505nF@15V
连续漏极电流:147A€17.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE008N03LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:5.7nF@15V
连续漏极电流:253A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.85mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Sanyo Denki
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4922NET1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69.44W€930mW
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76.5nC@10V
输入电容:5.505nF@15V
连续漏极电流:147A€17.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC037N03L5ISATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.1nF@15V
连续漏极电流:78A€20A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: