品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6510
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€46W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2160pF@15V
连续漏极电流:28A€32A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR402DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":107226}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2792AGR-E1-AT
功率:2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.2nF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@15V
连续漏极电流:14.8A€18A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH402DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:19A€35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH402DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:19A€35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5403DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1340pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR402DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: