采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5A€6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5A€6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2，"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN022-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5A€6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5A€6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5A€6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
