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    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    栅极电荷: 20nC@10V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8330TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8330TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8330TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€35W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:17A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:22A€88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS5402T1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:11A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订49个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订49个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订993个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订993个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4645}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8330TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8330TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8330TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€35W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:17A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订26个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订26个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32320C 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32320C 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP32320C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订654个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订654个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0503NSIATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0503NSIATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2529}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0503NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0503NSIATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0503NSIATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0503NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8330TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8330TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8330TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€35W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:17A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:11A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:11A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订15000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订15000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA432DJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA432DJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA432DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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