采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
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输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
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输入电容：300pF@10V
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类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
