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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3410EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2805}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC150N03LDGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2348ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9362TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4282EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2367pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：179696，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7328TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2675pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4282EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2367pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4282EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2367pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ844AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1161pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.6mΩ@7.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：16.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9362TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：179696，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7328TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2675pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：16.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
