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    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 830mW
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3099-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:61pF@15V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:408mΩ@500nA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3099-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:61pF@15V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:408mΩ@500nA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3099-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:61pF@15V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:408mΩ@500nA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4706NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4706NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":1332,"07+":14052,"08+":205778,"10+":43996,"MI+":6900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4706NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3060LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.8V@250µA€2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@15V€324pF@15V

    连续漏极电流:3.6A€2.8A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3060LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.8V@250µA€2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@15V€324pF@15V

    连续漏极电流:3.6A€2.8A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订1500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订1500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3099-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:61pF@15V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:408mΩ@500nA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3060LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.8V@250µA€2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@15V€324pF@15V

    连续漏极电流:3.6A€2.8A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订19个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3060LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.8V@250µA€2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@15V€324pF@15V

    连续漏极电流:3.6A€2.8A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3060LVT-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3060LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.8V@250µA€2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@15V€324pF@15V

    连续漏极电流:3.6A€2.8A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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