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    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 24A
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240GNTB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240GNTB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€27.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    加购:4000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AON7380 起订17个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7380 起订17个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7380

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:24A

    输入电容:1700pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

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