采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N03L5ISATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：78A€20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N03L5ISATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：78A€20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N03L5ISATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：78A€20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N03L5ISATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：78A€20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N03L5ISATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：78A€20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
导通电阻：35mΩ@10V，5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：5A
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：350pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N03L5ISATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：78A€20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
栅极电荷：17nC@10V
功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：23mΩ@10V，10A
输入电容：478.9pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
