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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8J2TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：84mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6U24TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：1.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K516NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6U24TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：1.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ020P03TCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U13TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ045N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1613
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5K2TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K516NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5K2TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U12TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K516NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
