品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
功率:30W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
阈值电压:4V@360μA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF380A60L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:3.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:955pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF380A60L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:3.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:955pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF380A60L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:3.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:955pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF380A60L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:3.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:955pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007ENX
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:散装
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF380A60L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:3.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:955pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: