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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB1R4CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：257.3pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC1R5CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB1R4CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：257.3pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA3N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5.5V@50µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：411pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.9Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
