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    行业应用: 工业
    漏源电压: 600V
    连续漏极电流: 5.5A
    当前匹配商品:50+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN6N60M2 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN6N60M2 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN6N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP9N60M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP9N60M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订425个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订425个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,2.75A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN6N60M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STN6N60M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN6N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN6N60M2 起订8000个装
    ST Mosfet场效应管 STN6N60M2 起订8000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN6N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRF6N60 起订50个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRF6N60 起订50个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRF6N60

    功率:80W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.7Ω@10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP9N60M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP9N60M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订353个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订353个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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