品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SiHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA47N60-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3769pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHW47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4854pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":118,"23+":1395}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":65,"19+":85,"20+":100,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:368W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6700pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":65,"19+":85,"20+":100,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:368W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6700pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3769pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:481W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXKR47N60C5
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@3mA
栅极电荷:190nC@10V
输入电容:6800pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@44A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXKR47N60C5
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@3mA
栅极电荷:190nC@10V
输入电容:6800pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@44A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: