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    行业应用: 工业
    漏源电压: 600V
    类型: N沟道
    功率: 208W
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:20.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP20N60C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:20.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:20.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60-F109 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60-F109 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCB20N60TM 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCB20N60TM 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB20N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD11S60 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD11S60 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD11S60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:399mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP105N60EF-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP105N60EF-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1804pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOW15S60 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOW15S60 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOW15S60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:717pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:20.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:20.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT199N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60S5XKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60S5XKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP20N60S5XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:20.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCB20N60TM 起订200个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCB20N60TM 起订200个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB20N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":260,"23+":2588}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT199N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60C3XKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60C3XKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP20N60C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:20.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB20N60C3ATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:20.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD11S60 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD11S60 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD11S60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:399mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT199N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR36N60P 起订5个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR36N60P 起订5个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR36N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60S5XKSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60S5XKSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP20N60S5XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCB20N60TM 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCB20N60TM 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB20N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOW15S60 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AOW15S60 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOW15S60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:717pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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