采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：45500，"13+"：33100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：250，"23+"：132650，"24+"：48500，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R750E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：250，"23+"：132650，"24+"：48500，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R750E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：250，"23+"：132650，"24+"：48500，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R750E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：50，"16+"：3500，"MI+"：972}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：250，"23+"：132650，"24+"：48500，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R750E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：45500，"13+"：33100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：428}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R145CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：9A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：50，"16+"：3500，"MI+"：972}
规格型号(MPN)：NDF03N60ZG
栅极电荷：18nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：3.1A
阈值电压：4.5V@50µA
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
输入电容：372pF@25V
包装方式：管件
功率：27W
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：50，"16+"：3500，"MI+"：972}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：428}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R145CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：9A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
