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    行业应用: 工业
    漏源电压: 600V
    功率: 50W
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ANX

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF27S60L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF27S60L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF27S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1294pF@100V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ANX

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF10N60 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF10N60 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF10N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC20PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF10N60 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF10N60 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF10N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC20PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF20N60 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF20N60 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:370mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF20N60 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF20N60 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:370mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3NM60N 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD3NM60N 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF12N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L 起订50个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L 起订50个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF12N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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