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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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