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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC074N15NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.6V@136µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@75V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB073N15N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.6V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@75V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@57A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB073N15N5ATMA1
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功率：214W
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"19+"：198，"MI+"：37}
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规格型号(MPN)：IPB073N15N5ATMA1
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规格型号(MPN)：BSC074N15NS5ATMA1
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPB073N15N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
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规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
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输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
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连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.6V@136µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@75V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
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导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
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