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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7117DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€12.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：2.17A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7117DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€12.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：2.17A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7117DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€12.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：2.17A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：213，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7117DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€12.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：2.17A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7117DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€12.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：2.17A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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