采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
栅极电荷：4nC@10V
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：236mΩ@2A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：215pF@75V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
