品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H060LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@50V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":112}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF6VP3091NBR1
功率:115V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:115V
类型:双
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1650}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF6VP3091NR5
功率:115V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:115V
类型:双
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
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库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1650}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF6VP3091NR5
功率:115V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:115V
类型:双
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF6VP3091NR5
功率:115V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:115V
类型:双
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":112}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF6VP3091NBR1
功率:115V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:115V
类型:双
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H060LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@50V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H060LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@50V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1650}
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销售单位:个
规格型号(MPN):MRF6VP3091NR5
功率:115V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:115V
类型:双
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1650}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF6VP3091NR5
功率:115V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:115V
类型:双
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H060LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
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输入电容:475pF@50V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
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ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
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连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H060LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@50V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H060LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@50V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF6VP3091NR5
功率:115V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:115V
类型:双
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存: