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    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订916个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订916个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":140,"04+":29100}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N03-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@24V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 A2T27S007NT1 起订50个装
    NXP Mosfet场效应管 A2T27S007NT1 起订50个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":984}

    销售单位:

    规格型号(MPN):A2T27S007NT1

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP85N03 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP85N03 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":121654}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP85N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@24V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLF9G38-10GU 起订13个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLF9G38-10GU 起订13个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":68}

    包装规格(MPQ):60psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLF9G38-10GU

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 A2T27S007NT1 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 A2T27S007NT1 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":984}

    销售单位:

    规格型号(MPN):A2T27S007NT1

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLF9G38-10GJ 起订13个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLF9G38-10GJ 起订13个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":18600,"MI+":2095}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLF9G38-10GJ

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 RF3L05150CB4 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 RF3L05150CB4 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF3L05150CB4

    功率:150W

    包装方式:Reel

    类型:RF-MOSFET

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4503NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4503NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":641,"16+":129500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4503NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@16V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 A2T27S007NT1 起订100个装
    NXP Mosfet场效应管 A2T27S007NT1 起订100个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":984}

    销售单位:

    规格型号(MPN):A2T27S007NT1

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP85N03 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP85N03 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":121654}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP85N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@24V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 RF3L05150CB4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 RF3L05150CB4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF3L05150CB4

    功率:150W

    包装方式:Reel

    类型:RF-MOSFET

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP85N03G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP85N03G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":6015,"MI+":1400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP85N03G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@24V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":140,"04+":29100}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N03-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@24V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150LW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150LW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 A2T27S007NT1 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 A2T27S007NT1 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":980}

    销售单位:

    规格型号(MPN):A2T27S007NT1

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLF9G38-10GJ 起订25个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLF9G38-10GJ 起订25个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":18600,"MI+":2095}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLF9G38-10GJ

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MHT1008NT1 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 MHT1008NT1 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":27,"20+":2417}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MHT1008NT1

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MHT1008NT1 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 MHT1008NT1 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":27,"20+":2417}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MHT1008NT1

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLF9G38-10GJ 起订500个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLF9G38-10GJ 起订500个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":18600,"MI+":2095}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLF9G38-10GJ

    功率:28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP85N03G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP85N03G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP85N03G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@24V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MHT1008NT1 起订50个装
    NXP Mosfet场效应管 MHT1008NT1 起订50个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MHT1008NT1

    功率:28V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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