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    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808NT4G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808NT4G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":59025}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3808NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@12V

    连续漏极电流:12A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 RFM04U6P(TE12L,F) 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 RFM04U6P(TE12L,F) 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFM04U6P(TE12L,F)

    功率:4.3W

    阈值电压:1.2V@500μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订91个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订91个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":9270}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:750mV@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:102pF@0V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订709个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订709个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":11550}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3813N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€34.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:963pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHK04P02T,518 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHK04P02T,518 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":32500,"19+":494713,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHK04P02T,518

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:600mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@12.8V

    连续漏极电流:4.66A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":59025}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3808NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@12V

    连续漏极电流:12A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@0V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1 起订123个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1 起订123个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@0V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 RFM04U6P(TE12L,F) 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 RFM04U6P(TE12L,F) 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFM04U6P(TE12L,F)

    功率:4.3W

    阈值电压:1.2V@500μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":135979}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3813NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€34.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:963pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G66 起订300个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G66 起订300个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G66

    功率:1.7W

    阈值电压:700mV

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,4.1A

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G66 起订95个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G66 起订95个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G66

    功率:1.7W

    阈值电压:700mV

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,4.1A

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3817N-1G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3817N-1G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":14400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3817N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€25.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:702pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€34.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0008RXDQS#H1 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0008RXDQS#H1 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2000}

    包装规格(MPQ):506psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0008RXDQS#H1

    功率:10W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:44pF@0V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":9270}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:750mV@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:102pF@0V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":11550}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3813N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€34.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:963pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":9270}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:750mV@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:102pF@0V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":9270}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:750mV@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:102pF@0V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0002DNSTB-E 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":9270}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:750mV@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:102pF@0V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3813N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€34.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:963pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808N-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808N-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3808N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1660pF@12V

    连续漏极电流:12A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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