品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":59025}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3808NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@12V
连续漏极电流:12A€76A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFM04U6P(TE12L,F)
功率:4.3W
阈值电压:1.2V@500μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":9270}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:750mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@0V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":11550}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3813N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€34.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:963pF@12V
连续漏极电流:9.6A€51A
类型:N沟道
导通电阻:8.75mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":32500,"19+":494713,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHK04P02T,518
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:600mV@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@12.8V
连续漏极电流:4.66A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":59025}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3808NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@12V
连续漏极电流:12A€76A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3100}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@0V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3100}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@0V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFM04U6P(TE12L,F)
功率:4.3W
阈值电压:1.2V@500μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":135979}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3813NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€34.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:963pF@12V
连续漏极电流:9.6A€51A
类型:N沟道
导通电阻:8.75mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G66
功率:1.7W
阈值电压:700mV
连续漏极电流:5.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,4.1A
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G66
功率:1.7W
阈值电压:700mV
连续漏极电流:5.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,4.1A
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":14400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3817N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€25.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:702pF@12V
连续漏极电流:7.6A€34.5A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2000}
包装规格(MPQ):506psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0008RXDQS#H1
功率:10W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:44pF@0V
连续漏极电流:2.4A
类型:1个N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":9270}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:750mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@0V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":11550}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3813N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€34.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:963pF@12V
连续漏极电流:9.6A€51A
类型:N沟道
导通电阻:8.75mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":9270}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:750mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@0V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":9270}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:750mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@0V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":9270}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:750mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@0V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3813N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€34.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:963pF@12V
连续漏极电流:9.6A€51A
类型:N沟道
导通电阻:8.75mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3808N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@12V
连续漏极电流:12A€76A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存: