采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40NF20-JSM
功率：160W
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，20A
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM90N20P
功率：140W
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223-JSM
功率：500W
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，95A
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB156N22NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6930pF@110V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@50A，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2076}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PML340SN，118
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：386mΩ@2.6A，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB156N22NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6930pF@110V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@50A，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB156N22NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6930pF@110V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@50A，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM90N20P
功率：140W
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP260NPBF-JSM
功率：350W
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，25A
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40NF20-JSM
功率：160W
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，20A
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40NF20-JSM
功率：160W
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，20A
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40NF20-JSM
功率：160W
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，20A
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223-JSM
功率：500W
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，95A
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：2076}
规格型号(MPN)：PML340SN，118
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：220V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
功率：50W
导通电阻：386mΩ@2.6A，10V
输入电容：656pF@30V
栅极电荷：13.2nC@10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB156N22NFDATMA1
导通电阻：15.6mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4V@270µA
漏源电压：220V
类型：N沟道
栅极电荷：87nC@10V
输入电容：6930pF@110V
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
连续漏极电流：72A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223-JSM
导通电阻：12mΩ@10V，95A
漏源电压：220V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
功率：500W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40NF20-JSM
漏源电压：220V
类型：1个N沟道
功率：160W
导通电阻：45mΩ@10V，20A
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB156N22NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6930pF@110V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@50A，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB156N22NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6930pF@110V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@50A，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
