品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT200GN60JDQ4
包装方式:管件
输入电容:14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT200GN60JDQ4
包装方式:管件
输入电容:14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT200GN60JDQ4
包装方式:管件
输入电容:14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT200GN60JDQ4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1nF@25V
连续漏极电流:93A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT200GN60J
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT200GN60JDQ4
包装方式:管件
输入电容:14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT200GN60JDQ4
包装方式:管件
输入电容:14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT200GN60J
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: