采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ600R12KE4HOSA1
包装方式：托盘
输入电容：1.7nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ600R12KE4HOSA1
包装方式：托盘
输入电容：1.7nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ600R12KE4HOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：1.7nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ600R12KE4HOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：1.7nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ600R12KE4HOSA1
包装方式：托盘
输入电容：1.7nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB55NF06LT4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：95W
阈值电压：4.7V@250μA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ600R12KE4HOSA1
包装方式：托盘
输入电容：1.7nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7416TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB55NF06LT4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：95W
阈值电压：4.7V@250μA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
